Como elegir un transistor de potencia?
¿Cómo elegir un transistor de potencia?
¿Cómo elegir un transistor para su proyecto? Al elegir un transistor para su proyecto, debe estar seguro del voltaje de la fuente, la disipación de energía y las corrientes de funcionamiento que se utilizarían en el proyecto.
¿Cuál es el principio de funcionamiento del BJT?
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una corriente muy pequeña.
¿Qué voltaje soporta un transistor?
Disipación de potencia y protecciones
| Parámetros | MOS | Bipolar |
|---|---|---|
| Resistencia OFF (corte) | Alta | Alta |
| Voltaje aplicable | Alto (1000 V) | Alto (1200 V) |
| Máxima temperatura de operación | Alta (200ºC) | Media (150ºC) |
| Frecuencia de trabajo | Alta (100-500 Khz) | Baja (10-80 Khz) |
¿Qué tipos de transistores de potencia existen?
Existen tres tipos de transistores de potencia: 1 bipolar. 2 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). 3 IGBT.
¿Cuál es la temperatura máxima para un transistor de potencia?
Dicha temperatura no debe superar un máximo especificado (TJmáx) que para el silicio es de 150ºC a 200ºC. El fabricante de un transistor de potencia suele especificar TJmáx, la máxima disipación de potencia a una temperatura ambiente TA0 (que por lo general es de 25ºC), y la resistencia térmica θJA.
¿Cómo reducir los tiempos de conmutación del transistor de potencia?
Ataque y protección del transistor de potencia. Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutación limitan el funcionamiento del transistor, por lo que nos interesaría reducir su efecto en la medida de lo posible. Los tiempos de conmutación pueden ser reducidos mediante una modificación en la señal de base.
¿Cómo funcionan los transistores en los MOS?
Los transistores, cuando se los emplean como interruptores, operan en la región de corte y saturación en los BJT e IGBT y región de corte y óhmica para los MOS.